PVD покрытия
Ионное азотирование
Адрес:
606032
Нижегородская область
г. Дзержинск
ул. Бутлерова 51
телефон/факс:
т 8(8313)28-10-44
т 8(8313)28-20-07
ф 8(8313)27-40-45
e-mail:
elan-praktik@mail.ru
praktik@sinn.ru
|
Метод магнетронного распыления – наиболее эффективная технология нанесения PVD покрытий
Среди всех существующих покрытий PVD покрытия занимают лидирующие позиции в силу своей универсальности и высокой эффективности (см., Классификация PVD покрытий). Эти покрытия получаются в результате поатомной сборки в среде беспримесного вакуума или в атмосфере чистых газов.
PVD покрытия могут иметь практически любые составы и структурные модификации. При этом покрытия могут обладать уникальными свойствами, превосходящими свойства аналогичных по составу компактных материалов.
По сути, любая PVD технология состоит из трех процессов:
(1) получение потока атомов, требуемых для построения покрытия, из компактного материала (мишени);
(2) перенос атомов к поверхности изделия;
(3) послойный рост покрытия на поверхности изделия.
|
 |
 |
На сегодняшний день наиболее универсальным и перспективным методом получения всего спектра PVD покрытий (от традиционных металлических до многофазных нанокомпозитных покрытий) признается метод магнетронного распыления. В данном методе удачно сочетаются технологические факторы, способствующие получению плотных микро- и нанокристаллических структур, которые обеспечивают экстраординарные свойства покрытий. |
Наша компания использует в своих технологиях все наиболее эффективные и промышленно адаптированные модификации метода магнетронного распыления – от традиционных сбалансированных магнетронов (получение резистивных металлических покрытий для микроэлектроники), несбалансированных магнетронов (получение традиционных покрытий тонкопленочной керамики) до несбалансированных дуальных магнетронов (получение сверхтвердых многофункциональных нанокомпозитных покрытий). В ближайшее время в наших разработках появится новая высокоэффективная магнетронная технология HIPIMS, промышленное использование которой активно исследуется в ведущих мировых вакуумных центрах. |
 |
|
|